佳能計劃于2023年3月13日發售面向前道工序的半導體光刻機新產品----i線步進式光刻機“FPA-5550iX”，該產品能夠同時實現0.5μm高解像力與50×50mm大視場曝光。

新產品“FPA-5550iX”能夠同時實現0.5μm高解像力與50×50mm大視場曝光，在不斷趨向高精尖化的全畫幅CMOS傳感器制造領域中，使得單次曝光下的高解像力成像成為可能。同時，通過充分利用高解像力與大視場的優勢，“FPA-5550iX”也可應用于頭戴式顯示器等小型顯示設備制造的曝光工序中。此外，隨著先進的XR器件顯示器需求增加，該產品也可廣泛應用于大視場、高對比度的微型OLED顯示器制造。新產品“FPA-5550iX”不僅能夠應用于半導體器件制造，也可以在最先進的XR器件顯示器制造等更廣泛的器件制造領域發揮其作用。

1. 通過制造方法的革新，兼顧高解像力與大視場曝光，實現更加穩定的鏡頭供應

新產品“FPA-5550iX”通過繼承現款機型“FPA-5510iX”（2015年9月發售）中采用的投影鏡頭，實現了0.5μm的高解像力成像。同時，通過實現50×50mm的大視場曝光，讓全畫幅CMOS傳感器及XR顯示器制造中所需的大視場、高解像力單次曝光成為可能。此外，通過制造方法的革新，能夠實現更優質、更穩定的投影鏡頭供應，滿足半導體光刻設備制造的旺盛需求。

2. 通過采用可讀取各類對準標記的調準用示波器，進一步加強制程對應能力

調準用示波器不僅具備檢測直射光的“明場檢測”功能，還新增了檢測散射光和衍射光的“暗場檢測”功能，用戶可根據使用需求選擇相應的檢測方法。通過可選波長范圍的擴大、區域傳感器的應用，加之可進行多像素測量，最終實現更低噪點的檢測效果，即使是低對比度的對準標記，也可以進行檢測。此外，可以應用于各類對準標記的測量，加強對用戶多樣制程的支持能力。比如，作為選裝功能，用戶可以選擇配備能夠穿透硅片的遠紅外線波長，以便在背照式傳感器制造過程中對晶圓背面進行對準測量。

3. 通過與Lithography Plus的協同，提高運轉效率

通過與解決方案平臺“Lithography Plus”（2022年9月上市）的協同，對光刻設備的狀態進行監測、分析，實現光刻設備良好的品質管控以及更高的運轉效率。

〈主要特點〉

1.    通過制造方法的革新，兼顧高解像力與大視場曝光，實現更加穩定的鏡頭供應

通過繼承現款機型“FPA-5510iX”（2015年9月發售）采用的1/2縮小投影鏡頭，實現0.5μm的高解像力。

50×50mm大視場曝光可以對全畫幅CMOS傳感器以及下一代XR顯示器上所需的大視場實現高解像力單次曝光。

通過鏡頭制造方法的革新，可以滿足半導體設備制造的旺盛需求，實現高品質鏡頭的穩定供應。

2. 通過采用可讀取各類對準標記的調準用示波器，進一步加強制程對應能力

在檢測直射光的“明場檢測”功能基礎上，新增了可以檢測散射光和衍射光的“暗場檢測”功能。針對僅憑“明場檢測”功能難以檢測與晶圓的對準標記，“暗場檢測”功能也非常有效。因此，用戶可根據需求選擇合適的檢測方式。

〈關于對準標記〉

可選波長范圍擴大。采用區域傳感器。通過多像素測量，選取已獲取信息的平均值，實現更低噪點。此外，低對比度的對準標記也可以測量。

可以應用于各類對準標記的測量，強化對應用戶各類制程的能力，比如，作為選裝功能，用戶可以選擇能穿透硅片的遠紅外線波長，以便在背照式傳感器制造過程中對晶圓背面進行對準測量。

半導體制作需要堆疊多層回路，因此需要精確對準電路圖，對準標記是其達成精確堆疊半導體回路的標準。根據對準標記可以檢測出正確的位置信息。

是一種可以讀取晶圓上的對準標記并進行對準的顯微鏡。其原理是從對準光源將光照射到對準標記上，透過鏡頭，在區域傳感器上感光從而進行檢測。

光刻設備要對電路圖進行多次重復曝光。其定位精度是非常高的。如果不能對已經曝光的下層部分進行準確定位的話，整個電路的質量會降低，進而導致生產良品率的降低。

（關于調準用示波器）

3. 通過與Lithography Plus的協同，提高運轉效率

 通過與解決方案平臺“Lithography Plus”（2022年9月上市）的協同，對光刻設備的狀態進行監測分析，實現光刻設備良好的品質管控以及更高的運轉效率。

〈大視場半導體光刻設備的市場動向〉

在全畫幅CMOS傳感器的制造中，通過高精度工藝的高解像力一次性曝光的需求不斷增加。同時，為了營造更好的沉浸體驗，元宇宙XR器件顯示器等領域對于高對比度的微型OLED顯示器的需求也日漸增加。因此，不僅在半導體領域，在高精度顯示器制造等領域，新產品也將得到廣泛應用。（佳能調查）